| 分数维方法研究 AlxGa1-xAs衬底上ＧａＡｓ薄膜中极化子特性随 Ａｌ浓度的变化中极化子特性随 Ａｌ浓度的变化 |
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| 引用本文： | 严亮星,田,强.分数维方法研究 AlxGa1-xAs衬底上ＧａＡｓ薄膜中极化子特性随 Ａｌ浓度的变化中极化子特性随 Ａｌ浓度的变化[J].北京师范大学学报(自然科学版),2014,50(1):20. |
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| 作者姓名： | 严亮星 田 强 |
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| 作者单位： | 用分数维方法研究 ＡｌｘＧａ1－ｘＡｓ衬底上 ＧａＡｓ薄膜中的极化子,得到了衬底中 Ａｌ摩尔分数ｘ 对 ＧａＡｓ薄膜中极化子的结合能和有效质量的影响,极化子的结合能 和 有 效 质 量 的 相 对 变 化（ｍａｓｓｓｈｉｆｔ）都随着 Ａｌ摩 尔 分 数 的 增 大 而单调增大;ＡｌｘＧａ1－ｘＡｓ衬底中 Ａｌ摩尔分数对不同厚度的 ＧａＡｓ薄膜中极化子的影响程度不同,ＧａＡｓ薄膜的厚度越小,衬底中 Ａｌ摩尔分数对 ＧａＡｓ薄膜中极化子的影响越显著． |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 极化子 ＧａＡｓ薄膜 分数维 |
VARIATION OF EFFECT OF POLARON IN GAAS FILM DEPOSITED ON ALxGA1-xAs SUBSTRATE WITH ALUMINUM CONCENTRATION |
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| Institution: | Department of physics,Beijing Normal University,100875,Beijing,China |
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| Abstract: | The deposition of Polaronin GaAsfilm on AlxGa1-x substrate was studied in this paper. A framework for fractal dimension approximation Aluminum concentration, polaron binding energy and monotonic shift in AlxGa1-x substrates With the increase of aluminum concentration, the aluminum concentration on Al xAlGa1-xSi substrate increases. The polarization properties of GaAsGaN thin films are different, and the thickness of GaAsSe films is also different. Effect of aluminum concentration on extremely thin AAS films |
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| Keywords: | |
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