分数维方法研究 AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中极化子特性随 Al浓度的变化中极化子特性随 Al浓度的变化 |
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引用本文: | 严亮星,田,强.分数维方法研究 AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中极化子特性随 Al浓度的变化中极化子特性随 Al浓度的变化[J].北京师范大学学报(自然科学版),2014,50(1):20. |
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作者姓名: | 严亮星 田 强 |
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作者单位: | 用分数维方法研究 AlxGa1-xAs衬底上 GaAs薄膜中的极化子,得到了衬底中 Al摩尔分数x 对 GaAs薄膜中极化子的结合能和有效质量的影响,极化子的结合能 和 有 效 质 量 的 相 对 变 化(massshift)都随着 Al摩 尔 分 数 的 增 大 而单调增大;AlxGa1-xAs衬底中 Al摩尔分数对不同厚度的 GaAs薄膜中极化子的影响程度不同,GaAs薄膜的厚度越小,衬底中 Al摩尔分数对 GaAs薄膜中极化子的影响越显著. |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目 |
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摘 要: |
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关 键 词: | 极化子 GaAs薄膜 分数维 |
VARIATION OF EFFECT OF POLARON IN GAAS FILM DEPOSITED ON ALxGA1-xAs SUBSTRATE WITH ALUMINUM CONCENTRATION |
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Institution: | Department of physics,Beijing Normal University,100875,Beijing,China |
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Abstract: | The deposition of Polaronin GaAsfilm on AlxGa1-x substrate was studied in this paper. A framework for fractal dimension approximation Aluminum concentration, polaron binding energy and monotonic shift in AlxGa1-x substrates With the increase of aluminum concentration, the aluminum concentration on Al xAlGa1-xSi substrate increases. The polarization properties of GaAsGaN thin films are different, and the thickness of GaAsSe films is also different. Effect of aluminum concentration on extremely thin AAS films |
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Keywords: | |
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