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分数维方法研究 AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中极化子特性随 Al浓度的变化中极化子特性随 Al浓度的变化
引用本文:严亮星,田,强.分数维方法研究 AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中极化子特性随 Al浓度的变化中极化子特性随 Al浓度的变化[J].北京师范大学学报(自然科学版),2014,50(1):20.
作者姓名:严亮星    
作者单位:用分数维方法研究 AlxGa1-xAs衬底上 GaAs薄膜中的极化子,得到了衬底中 Al摩尔分数x 对 GaAs薄膜中极化子的结合能和有效质量的影响,极化子的结合能 和 有 效 质 量 的 相 对 变 化(massshift)都随着 Al摩 尔 分 数 的 增 大 而单调增大;AlxGa1-xAs衬底中 Al摩尔分数对不同厚度的 GaAs薄膜中极化子的影响程度不同,GaAs薄膜的厚度越小,衬底中 Al摩尔分数对 GaAs薄膜中极化子的影响越显著.
基金项目:国家自然科学基金资助项目
摘    要:

关 键 词:极化子    GaAs薄膜    分数维

VARIATION OF EFFECT OF POLARON IN GAAS FILM DEPOSITED ON ALxGA1-xAs SUBSTRATE WITH ALUMINUM CONCENTRATION
Institution:Department of physics,Beijing Normal University,100875,Beijing,China
Abstract:The deposition of Polaronin GaAsfilm on AlxGa1-x substrate was studied in this paper. A framework for fractal dimension approximation Aluminum concentration, polaron binding energy and monotonic shift in AlxGa1-x substrates With the increase of aluminum concentration, the aluminum concentration on Al xAlGa1-xSi substrate increases. The polarization properties of GaAsGaN thin films are different, and the thickness of GaAsSe films is also different. Effect of aluminum concentration on extremely thin AAS films 
Keywords:
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