| 甚长波红外光电探测材料和器件专题·编者按 |
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| 引用本文： | 戴宁.甚长波红外光电探测材料和器件专题·编者按[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2021(2). |
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| 作者姓名： | 戴宁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
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| 摘 要： | 任何处于非绝对零度的物体都会辐射电磁波,探测辐射电磁波就能实现对物体的探测.根据普朗克黑体辐射定律推算出黑体辐射能量密度随温度的4次方成正比.因此,低温目标的辐射能量密度很弱,对探测器灵敏度要求极高.另一方面,黑体辐射峰值波长随温度降低向长波方向红移, 5800 K时峰值波长位置在0.5μm左右, 100 K时在30μm附近. 30μm对应的半导体材料禁带宽度仅为40 me V,差不多等于一个光学声子的能量.这样窄的带隙,材料的电学性能几乎完全受控于本征热激发,使得根据传统带间跃迁原理制备的探测器无法工作.
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| 关 键 词： | 辐射电磁波 峰值波长 黑体辐射 热激发 半导体材料 绝对零度 带间跃迁 |
Special topic:photoelectric detection materials and devices for very long wavelength infrared signals |
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