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| BaFCl:Eu~(2 )的正电子湮没谱研究 | |
| 作者姓名： | 王玉芳 冯嘉祯 陈洪云 林荫浓 白人骥 |
| 作者单位： | 天津师范大学物理系，天津师范大学实验中心 |
| 摘 要： | 利用正电子湮没谱研究了不同离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋系列粉末样品．实验结果表明：当晶体中的离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）＜１时，可以有效地产生Ｆ离子空位缺陷，当离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比值在０．９２附近的空位缺陷浓度最大． |
| 关 键 词： | 正电子湮没 X光存储材料 BaFCl：Eu~(2＋) |
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