|
|||||
|
|
| 一个有关硅各向异性腐蚀机理的唯象模型 | |
| 引用本文： | 侯承贵.一个有关硅各向异性腐蚀机理的唯象模型[J].河北大学学报(自然科学版),1982(2). |
| 作者姓名： | 侯承贵 |
| 作者单位： | 河北大学电子系 |
| 摘 要： | 本文提出一个用两类吸附中心描述硅各向异性腐蚀机理的唯象模型:认为硅片表面存在有自由键和可用键两种吸附中心,这两种吸附中心对反应剂分子的吸附能力随腐蚀液浓度而变化。并由此得出一个腐蚀速率与KOH浓度、温度和晶向有关的经验表达式。在我们讨论的5％ |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |