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| GaAs(110) 弛豫表面电子结构的理论研究 | |
| 引用本文： | 常凯,汪洁英.GaAs(110) 弛豫表面电子结构的理论研究[J].淮北煤炭师范学院学报(自然科学版),1990(1). |
| 作者姓名： | 常凯 汪洁英 |
| 作者单位： | 淮北煤炭师范学院物理系，北京职业技术师范学院物理系 |
| 摘 要： | 基于 K.S.Dy 的无穷阶微扰理论及紧束缚方法,取用 Vogl 的经验紧束缚参数,我们对 GaAs(110) 表面的电子结构做了理论计算,并同实验进行了比较,得出了 BR 模型比较接近真实表面构型的结论。 |
| 关 键 词： | 表面电子结构 旋转弛豫 键弛豫 |
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