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20年来对静电感应器件(SID)的开拓性研究
引用本文:李思渊. 20年来对静电感应器件(SID)的开拓性研究[J]. 兰州大学学报(自然科学版), 1999, 35(3): 36-55
作者姓名:李思渊
作者单位:兰州大学静电感应器件研究所!兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000
基金项目:国家“八五”科技攻关项目;甘肃省“六五”、“八五”、“九五”科技攻关项目
摘    要:全面总结了本研究所20年来独立自主完成的关于静电感应器件(SID)的开拓性研究成果,包括SID基本器件物理的理论研究,器件结构的研究,电性能的控制,关键制造技术的研究,SID产品的研制以及SID的应用研究等多方面的成果。

关 键 词:静电感应器件 SID 电力半导体器件 SIT SITH

Pioneering Study on Static Induction Devices(SID) in Past 20 Years
Li Siyuan. Pioneering Study on Static Induction Devices(SID) in Past 20 Years[J]. Journal of Lanzhou University(Natural Science), 1999, 35(3): 36-55
Authors:Li Siyuan
Abstract:The pioneering achievements of our institute on SID research are summed up here. They are as follows:The theoretical studies on the physics of SID, the device structures,control of the electrical performance,the key manufacturing technologies,the development of new varieties of products of SID and partial applications of these SID, etc.
Keywords:static induction device  SID  pioneering study
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