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小尺寸半导体器件流体动力学方程解的长时间行为
引用本文:孙建筑.小尺寸半导体器件流体动力学方程解的长时间行为[J].南京林业大学学报(自然科学版),2005,29(1):64-66.
作者姓名:孙建筑
作者单位:南京林业大学信息科学技术学院,江苏,南京,210037
基金项目:国家自然科学基金青年基金资助项目(10301014)
摘    要:用能量方法证明了当初始数据与稳态解很近,且时间趋于无穷时,小尺寸半导体器件流体动力学方程指数衰减到唯一的稳态解,从而改正了文献1]的错误。

关 键 词:流体动力学  半导体器件  Lagrange坐标  Euler-poisson方程
文章编号:1000-2006(2005)01-0064-03
修稿时间:2003年11月10

The Long Time Behavior of Solutions to the Hydrodynamic Model of the Submicron Devices
SUN Jian-zhu.The Long Time Behavior of Solutions to the Hydrodynamic Model of the Submicron Devices[J].Journal of Nanjing Forestry University(Natural Sciences ),2005,29(1):64-66.
Authors:SUN Jian-zhu
Abstract:
Keywords:Hydrodynamic model  Submicron semiconductor devices  Lagrange coordinates  Euler-poisson system
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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