| 中子管靶面二次电子抑制 |
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| 引用本文： | 王静,段萍.中子管靶面二次电子抑制[J].长安大学学报(自然科学版),2003,23(2):107-110. |
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| 作者姓名： | 王静 段萍 |
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| 作者单位： | 大连大学,物理系,辽宁,大连,116622 |
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| 摘 要： | 通过实验给中子发生器的靶的上方加一抑制电压 (负电压 ) ,使靶表面发射的二次电子受到抑制 ,从而使中子管达到更好的工作状态。
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| 关 键 词： | 中子管 靶 抑制电压 二次电子 |
| 文章编号： | 1671-8879(2003)02-0107-04 |
| 修稿时间： | 2002年4月20日 |
Principle and method of controlling second production of electrons from target surface |
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| WANG Jing,DUAN Ping.Principle and method of controlling second production of electrons from target surface[J].JOurnal of Chang’an University:Natural Science Edition,2003,23(2):107-110. |
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| Authors: | WANG Jing DUAN Ping |
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| Abstract: | A demonstration of an experiment was carried out, in which prohibitive voltage is added to the upper target of the neutro generater to control the second production of electrons from the surface of the target in order to make the neutro tube work in a better condition. |
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| Keywords: | neutro tube prohibitive voltage target |
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