| Si6团簇与Si（111）表面碰撞的分子动力学模拟 |
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| 引用本文： | 李延龄. Si6团簇与Si（111）表面碰撞的分子动力学模拟[J]. 徐州师范大学学报(自然科学版), 2002, 20(2): 24-27 |
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| 作者姓名： | 李延龄 |
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| 作者单位： | 徐州师范大学,物理系,江苏,徐州,221009 |
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| 基金项目： | 徐州师范大学自然科学基金资助项目 (0 1BXL0 0 6) |
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| 摘 要： | 利用紧束缚分子动力学方法模拟研究了Si6团簇与Si(111）表面碰撞的微观过程，结果表明，Si6团簇在表面再构并吸附的能量阈值为10cV，损伤域能为60eV。通过对碰撞结果的讨论得到了改变轰击能量可以控制外延生长的结构的结论。
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| 关 键 词： | Si6团簇 Si（111） 表面碰撞 紧束缚分子动力学 碰撞模拟 外延生长 硅 微观过程 |
| 文章编号： | 1007-6573(2002)02-0024-04 |
| 修稿时间： | 2001-11-08 |
Molecular Dynamics Simulations of Si6 in Collision with a Silicon(111) Surface |
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| LI Yan ling. Molecular Dynamics Simulations of Si6 in Collision with a Silicon(111) Surface[J]. Journal of Xuzhou Normal University(Natural Science Edition), 2002, 20(2): 24-27 |
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| Authors: | LI Yan ling |
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| Abstract: | The collision of Si 6 with a silicon(111) surface has been investigated by molecular dynamics simulation with tight binding potentials. At an impact energy of 10 eV, Si 6 reconstructs on the surface. Then the damage energy is 60 eV. Furthermore, by changing the initial energy, the structure of epitaxial growth can be controlled. |
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| Keywords: | tight binding molecular dynamics cluster collision epitaxial growth |
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