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| PED沉积Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜过程中影响超导电性因素分析 | |
| 引用本文： | 郭艳峰,陈雷明,郭熹,李培刚,雷鸣,唐为华.PED沉积Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜过程中影响超导电性因素分析[J].中国科学(G辑),2007,37(4):458-463. |
| 作者姓名： | 郭艳峰 陈雷明 郭熹 李培刚 雷鸣 唐为华 |
| 作者单位： | 1. 浙江理工大学物理系,光电材料与器件中心,杭州,310018;中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 2. 郑州航空工业管理学院数理系,郑州,450015 3. 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 4. 浙江理工大学物理系,光电材料与器件中心,杭州,310018 |
| 基金项目： | 浙江省自然科学基金;中国科学院"百人计划";国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 采用脉冲电子束沉积技术, 在SrTiO3衬底上成功制备了高质量的Nd1.85Ce0.15CuO4(NCCO)薄膜. 通过改变薄膜的沉积温度、厚度、退火条件以及沉积频率, 获得了具有不同生长条件的NCCO薄膜样品. 对样品R-T曲线进行分析, 得到了上述因素对薄膜超导电性的影响规律, 并进一步说明了这些因素对薄膜的超导电性造成影响的原因. 通过与脉冲激光沉积技术类比, 定量分析了沉积过程中靶与基片距离同沉积气压之间的关系. |
| 关 键 词： | Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜 超导电性 脉冲电子束沉积 |
| 收稿时间： | 2006-10-27 |
| 修稿时间： | 2006-10-27 |
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