| 非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟 |
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| 引用本文： | 罗佳亮,李垚.非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟[J].中国科学技术大学学报,2009,39(8). |
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| 作者姓名： | 罗佳亮 李垚 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系,安徽合肥,230026 |
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| 摘 要： | 在基于单电子晶体管的半经典理论和主方程模型的基础上,提出了一种采用非对称隧穿电容设计的单电子晶体管,并用计算机模拟了对称结构的单电子晶体管和非对称隧穿电容(电阻)结构单电子晶体管的特性.模拟结果表明,用主方程法模拟非对称隧穿电容(电阻)结构设计的晶体管,其伏安特性曲线除仍保留对称结构具有的周期性以外,还具有正弦态、电阻态、方波态、截止态四种形态.其性能也有差异.
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| 关 键 词： | 单电子 主方程 隧穿电容 非对称性 |
Modeling and simulation of single-electron devices by asymmetric tunneling capacitance |
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| LUO Jia-liang,LI Yao.Modeling and simulation of single-electron devices by asymmetric tunneling capacitance[J].Journal of University of Science and Technology of China,2009,39(8). |
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| Authors: | LUO Jia-liang LI Yao |
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