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用场效应法研究a-Si_xC_(1-x):H薄膜的隙态密度
引用本文:王印月.用场效应法研究a-Si_xC_(1-x):H薄膜的隙态密度[J].科学通报,1984,29(8):511-511.
作者姓名:王印月
作者单位:湘潭矿业学院基础部
摘    要:考虑n阶常系数线性方程组其中y∈R~m,z∈R~p,m+p=n,T、A、B、C、D是常数矩阵。方程组(1)对变元y的渐近稳定性除可从直接求解进行判别外,目前已有苏联学者发表的线性变换方法。我们从分析矩阵T与D的关系得到以下结

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