Fe离子注入ITO薄膜的光电磁性质研究 |
| |
引用本文: | 王佳伟,罗凤凤.Fe离子注入ITO薄膜的光电磁性质研究[J].江西科学,2019,37(1). |
| |
作者姓名: | 王佳伟 罗凤凤 |
| |
作者单位: | 江西省科学院应用物理研究所,330096,南昌;江西省科学院应用物理研究所,330096,南昌 |
| |
基金项目: | 江西省重点研发计划项目;江西省自然科学基金项目 |
| |
摘 要: | ITO薄膜是一类被广泛应用的透明导电氧化物薄膜材料,也是稀磁半导体材料的候选之一。用MEVVA源在ITO薄膜中注入Fe离子,样品经快速热退火处理后,GAXRD分析注入的Fe离子掺入进了ITO晶格中,样品中没有发现Fe纳米团簇及氧化物等杂质相,但由于离子轰击,样品的结晶性变差,光透射率降低; Fe离子注入后,随着氧空位浓度降低,以及杂质散射增强,样品的电学性能降低,但由于Fe离子间通过氧空位形成了Fe-VO-Fe铁磁耦合对,促进了样品室温铁磁性的增强。
|
关 键 词: | -ITO薄膜 Fe离子注入 室温铁磁性 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
|