| Cr,Mo对Cu/Si(100)薄膜体系结构、电阻率及扩散性能的影响 |
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| 引用本文： | 王新建,刘嘉聪,董显平,姜传海,洪波. Cr,Mo对Cu/Si(100)薄膜体系结构、电阻率及扩散性能的影响[J]. 上海交通大学学报, 2007, 41(11): 1882-1886 |
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| 作者姓名： | 王新建 刘嘉聪 董显平 姜传海 洪波 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,材料科学与工程学院,上海,200240;上海交通大学,材料科学与工程学院,上海,200240;上海交通大学,材料科学与工程学院,上海,200240;上海交通大学,材料科学与工程学院,上海,200240;上海交通大学,材料科学与工程学院,上海,200240 |
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| 基金项目： | 上海市应用材料研究与发展项目 |
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| 摘 要： | 利用简易合金靶材在Si(100)基底单靶磁控溅射制备Cu(Cr)、Gu(Mo)薄膜.研究薄膜在300~500℃退火前后的结构、电学及扩散性能的变化.结果表明,Cr、Mo的加入增强了Cu薄膜的(111)织构,且溅射态薄膜电阻率显著增加.真空退火后,Cu(200)和Cu(220)衍射峰增强,但薄膜保持较强的(111)织构.Cu(1.19%Cr)薄膜电阻率随温度升高先减小后增加,400℃退火后电阻率最小,为2.76μΩ.cm,接近纯Cu薄膜(2.55μΩ.cm);而Cu(1.28%Mo)薄膜的电阻率一直呈下降趋势.Cu(1.28%Mo)薄膜在400℃退火30 min后,薄膜与Si基底间的互扩散深度约60 nm,与纯Cu薄膜(约70 nm)相似.而Cu(1.19%Cr)薄膜的互扩散深度较小为30 nm.Cr显著减小了Cu、Si之间的互扩散.这与Cr在薄膜/基体界面处的偏聚有关.
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| 关 键 词： | 薄膜 磁控溅射 电阻率 织构 互扩散 |
| 文章编号： | 1006-2467（2007）11-1882-05 |
| 收稿时间： | 2006-11-27 |
| 修稿时间： | 2006-11-27 |
The Effects of Cr, Mo on Microstructure, Electrical Resistivity and Diffusion Property of Cu Films on Si(100) |
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| WANG Xin-jian,LIU Jia-cong,DONG Xian-ping,JIANG Chuan-hai,HONG Bo. The Effects of Cr, Mo on Microstructure, Electrical Resistivity and Diffusion Property of Cu Films on Si(100)[J]. Journal of Shanghai Jiaotong University, 2007, 41(11): 1882-1886 |
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| Authors: | WANG Xin-jian LIU Jia-cong DONG Xian-ping JIANG Chuan-hai HONG Bo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | films magnetron sputtering electrical resistivity texture inter-diffusion |
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