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| 掺硼硅显示异常腐蚀现象的研究 | |
| 引用本文： | 侯承贵,宋登元,李也言,李彦平.掺硼硅显示异常腐蚀现象的研究[J].河北大学学报(自然科学版),1983(1). |
| 作者姓名： | 侯承贵 宋登元 李也言 李彦平 |
| 作者单位： | 河北大学电子系，河北大学电子系，河北大学电子系，河北大学电子系 电子系半导体物理与器件专业78级学生，电子系半导体物理与器件专业78级学生 |
| 摘 要： | 本文讨论(100)和(110)硅在各向异性腐蚀中与掺硼浓度的关系。实验测得了硼浓度为3±0.5×10~(19)Cm~(-3)时腐蚀速率与KOH浓度和腐蚀温度的关系曲线。根据硅表面存在有自由键和可用键两种吸附中心的模型对实验结果进行分析,指出吸附能力下降和表观激活能的增大是造成掺硼硅腐蚀速率下降的主要原因。并认为表观激活能的增加与掺硼后自由键密度的减小和硅—硼键的结合能大于硅—硅键结合能有关。 |
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