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| 基于反射光谱的InxGa1-xN半导体薄膜厚度测量 | |
| 引用本文： | 刘颖丹,苑进社,潘德芳. 基于反射光谱的InxGa1-xN半导体薄膜厚度测量[J]. 重庆师范大学学报(自然科学版), 2009, 26(4): 98-100. DOI: 10.3969/J.ISSN.1672-6693.2009.04.021 |
| 作者姓名： | 刘颖丹 苑进社 潘德芳 |
| 作者单位： | 重庆师范大学,物理学与信息技术学院,光学工程重点实验室,重庆,400047 |
| 基金项目： | 重庆师范大学博士启动基金资助项目 |
| 摘 要： | 氮化镓薄膜是制造蓝紫光光电子器件的理想半导体材料之一。三元合金InGaN薄膜是优良的全光谱材料而且不同In组分的InGaN薄膜叠层可用于研制高效率薄膜太阳电池。精确测量InGaN薄膜的厚度有利于研制高效率的光伏器件。本文利用分光光度计实验研究了蓝宝石衬底金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术生长的铟镓氮（InGaN）半导体薄膜的反射光谱。基于薄膜干涉原理，计算分析了InxGa1-xN薄膜的厚度；结果发现利用反射光谱中不同波峰、波谷确定的薄膜厚度相对偏差度的平均值为4．42％。结果表明用反射光谱的方法测量InxGa1-xN薄膜的厚度是可行的。 |
| 关 键 词： | 反射光谱 InxGa1-xN 薄膜 薄膜厚度测量 |
Thickness Measurement of InxGa1-xN Semiconductor Film Based on Reflection Spectra |
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LIU Ying-dan,YUAN Jin-she,PAN De-fang .Thickness Measurement of InxGa1-xN Semiconductor Film Based on Reflection Spectra [J]. Journal of Chongqing Normal University:Natural Science Edition, 2009, 26(4): 98-100. DOI: 10.3969/J.ISSN.1672-6693.2009.04.021 |
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| Authors: | a" style=" TEXT-ALIGN: justify TEXT-JUSTIFY: inter-ideograph" >LIU Ying-dan,YUAN Jin-she,PAN De-fang |
| Affiliation: | LIU Ying-dan,YUAN Jin-she,PAN De-fang(Key Lab.of Optics , Engineering,College of Physics , Information Technology,Chongqing Normal University,Chongqing 400047,China) |
| Abstract: | Gallium Nitride(GaN) film is one of the most promising semiconductor materials for the fabrication of optoelectronics components in the blue ultraviolet spectral region.The ternary alloy InGaN is one of the very good full-spectrum materials and the superposition of InGaN films with different in composition can greatly improve the conversion efficiency of solar cells.Accurate measurement of InGaN film thickness merits fabricate high efficiency photovoltaic devices.The reflectance spectra of InxGa1-xN semicon... |
| Keywords: | reflection spectra InxGa1-xN thin film measurement of film thickness |
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