| 氧分压对 NiOx 薄膜微结构和电阻开关特性的影响 |
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| 引用本文： | 王瑞雪, 霍进迁, 张祎杨, 朱华星, 邱晓燕.氧分压对 NiOx 薄膜微结构和电阻开关特性的影响[J].西南师范大学学报(自然科学版),2016,41(1). |
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| 作者姓名： | 王瑞雪 霍进迁 张祎杨 朱华星 邱晓燕 |
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| 作者单位： | 西南大学物理科学与技术学院,重庆,400715 |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射方法在镀Pt的Si（100）衬底上沉积制备NiO x 薄膜，研究了氧分压对薄膜微结构和电阻开关特性的影响．微结构观测分析结果表明：在20％氧分压下，可获得沿200]晶向择优生长的N iO x 多晶薄膜，薄膜表面平整致密，晶粒平均直径约为13.8 nm ，垂直衬底生长形成柱状晶粒结构．磁性测试结果显示薄膜具有典型的铁磁性磁化曲线，但薄膜饱和磁矩随着氧分压增加急剧降低．电学测试结果表明20％氧分压氛围下沉积制备薄膜样品的电流电压曲线呈现出典型的双极性电阻开关特性：在－0.6 V读取电压下，可获得大于10的高／低电阻态阻值比．指数定律拟合电流电压实验曲线表明：薄膜低电阻态漏电流为欧姆接触电导；而薄膜处于高电阻态时，低电压下的漏电流仍以欧姆接触电导为主，高电压下则以缺陷主导的空间电荷限制电流为主．
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Effects of Oxygen Partial Pressure on the Microstructure and Resistive Switching Properties of NiOx Thin Films |
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| WANG Rui-xue,HUO Jin-qian,ZHANG Yi-yang,ZHU Hua-xing,QIU Xiao-yan.Effects of Oxygen Partial Pressure on the Microstructure and Resistive Switching Properties of NiOx Thin Films[J].Journal of Southwest China Normal University(Natural Science),2016,41(1). |
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| Authors: | WANG Rui-xue HUO Jin-qian ZHANG Yi-yang ZHU Hua-xing QIU Xiao-yan |
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