| 掺氟钨酸铅晶体的电子结构研究 |
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| 引用本文： | 陶琨 张启仁 刘廷禹 张飞武. 掺氟钨酸铅晶体的电子结构研究[J]. 上海理工大学学报, 2004, 26(6): 512-514 |
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| 作者姓名： | 陶琨 张启仁 刘廷禹 张飞武 |
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| 作者单位： | 上海理工大学,理学院,上海,200093;上海理工大学,理学院,上海,200093;上海理工大学,理学院,上海,200093;上海理工大学,理学院,上海,200093 |
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| 摘 要： | 用密度泛函的方法计算了掺氟钨酸铅晶体(F^-：PbWO4)的电子结构．结果表明，杂质F^-离子的掺入使得部分O的2p态和W的5d态分裂并进入到禁带中，使得禁带宽度变窄．F的2p态距离价带顶6．0eV左右，因而不会影响晶体的蓝发光．F^-离子替位氧离子O^2-可以部分地补偿由于铅空位VPb所造成的局域电荷失衡，阻止铅空位VPb抓住空穴形成复合色心．因此，可以减弱420nm吸收带，有效地增加光产额．
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| 关 键 词： | F-离子 态密度 PbWO4 |
| 文章编号： | 1007-6735(2004)06-0512-03 |
| 修稿时间： | 2004-06-27 |
Electronic structure of the fluorine doped PbWO4 crystal |
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| TAO Kun,ZHANG Qi-ren,LIU Ting-yu,ZHANG Fei-wu. Electronic structure of the fluorine doped PbWO4 crystal[J]. Journal of University of Shanghai For Science and Technology, 2004, 26(6): 512-514 |
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| Authors: | TAO Kun ZHANG Qi-ren LIU Ting-yu ZHANG Fei-wu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | fluorine ions densities of states PbWO_4 |
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