|
|||||
|
|
| Nb2O5掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏陶瓷电学性质的影响 | |
| 作者姓名： | 吕本顺 李立本 臧国忠 |
| 作者单位： | 河南科技大学物理与工程学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(50972056);河南科技大学研究生创新基金项目(CXJJ-Z017) |
| 摘 要： | 研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当Nb2O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28V/mm增加到530V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对Nb含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。 |
| 关 键 词： | 压敏电阻 二氧化锡 势垒高度 非线性系数 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |