| 功率VDMOS器件的新型SPICE模型 |
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| 引用本文： | 朱荣霞,黄栋,马德军,王锦春,孙伟锋,张春伟.功率VDMOS器件的新型SPICE模型[J].东南大学学报(自然科学版),2013(3):478-482. |
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| 作者姓名： | 朱荣霞 黄栋 马德军 王锦春 孙伟锋 张春伟 |
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| 作者单位： | 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心;中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室 |
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| 基金项目： | 航空科学基金资助项目(20122469);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-10-0331);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012559) |
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| 摘 要： | 为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.
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| 关 键 词： | VDMOS SPICE模型 内部节点 准饱和效应 |
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