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半导体CdS1-xSex纳米材料的制备、表征及吸收光谱研究
引用本文:余红英. 半导体CdS1-xSex纳米材料的制备、表征及吸收光谱研究[J]. 安徽师范大学学报(自然科学版), 2007, 30(2): 151-154,191
作者姓名:余红英
作者单位:芜湖信息技术职业学院,电子信息系,安徽,芜湖,241000
摘    要:使用二氯化镉(CdCl2.2.5H2O)、硫粉(S)、硒粉(Se)为原料,用乙二胺作溶剂,在180℃的温和条件下,通过改变原料中硫、硒的组分,合成了固溶体半导体CdS1-xSex(0≤x≤1)纳米材料,用XRD、TEM、SAED进行分析表征,产物为六方相、直径约20nm左右、长度约500nm左右的短棒状结构.依据XRD图,对产物的晶格常数随组分x的变化关系进行了研究,其变化关系遵从Vegard定律;测量了产物的紫外吸收光谱,对其能带隙随组分x的变化关系进行了研究,说明可通过对组分x的控制来调制材料的带隙.

关 键 词:半导体  纳米材料  晶格常数  紫外-可见吸收光谱  溶剂热法  带隙
文章编号:1001-2443(2007)02-0151-05
收稿时间:2007-02-20
修稿时间:2007-02-20

Preparation, Characterization and Optical Properties of Semiconductor CdS1-xSex Nanocrystals
YU Hong-ying. Preparation, Characterization and Optical Properties of Semiconductor CdS1-xSex Nanocrystals[J]. Journal of Anhui Normal University(Natural Science Edition), 2007, 30(2): 151-154,191
Authors:YU Hong-ying
Abstract:
Keywords:semiconductor  nanomaterials  lattice constants  UV-Vis absorption spectrum  solvothermal method  bandgap
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