| 光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中电子迁移率的影响 |
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| 引用本文： | 周晓娟,班士良. 光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中电子迁移率的影响[J]. 内蒙古大学学报(自然科学版), 2008, 39(3): 263-268 |
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| 作者姓名： | 周晓娟 班士良 |
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| 作者单位： | 内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021;内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 内蒙古优秀学科带头人项目 |
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| 摘 要： | 考虑导带弯曲和有限高势垒,利用变分法和力平衡方程研究了界面光学声子和半空间光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,数值计算了各支光学声子作用下迁移率随电子面密度及温度的变化.结果表明:总迁移率随电子面密度先上升后下降,随温度升高则一直呈下降趋势.在较低电子面密度时,沟道区的体纵光学声子散为影响迁移率的主要因素;当电子面密度大于4×10113/cm2时,界面声子散射成为主要因素.
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| 关 键 词： | AlN/GaN异质结 电子迁移率 光学声子散射 |
| 文章编号： | 1000-1638(2008)03-0263-06 |
| 修稿时间： | 2007-07-05 |
Influence of Optical-phonon Scattering on Electron Mobility in a Wurtzite AlN/GaN Heterostructure |
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| ZHOU Xiao-juan,BAN Shi-liang. Influence of Optical-phonon Scattering on Electron Mobility in a Wurtzite AlN/GaN Heterostructure[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Neimongol, 2008, 39(3): 263-268 |
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| Authors: | ZHOU Xiao-juan BAN Shi-liang |
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