纳米WO3氯化氢气体传感器 |
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引用本文: | 黄世震,林伟,王大伟.纳米WO3氯化氢气体传感器[J].科技通讯(上海),2008,14(1):167-170. |
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作者姓名: | 黄世震 林伟 王大伟 |
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作者单位: | [1]福建省微电子集成电路重点实验室,福州350002 [2]福州大学物信学院,福州350002 |
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摘 要: | 以三氧化钨为基材,通过掺杂制作了半导体型氯化氢气体传感器,研究元件的气敏特性。以钨酸钠和浓盐酸为反应物,采用溶胶-凝胶法,制备出具有特殊结构的三氧化钨。通过XRD、SEM、TEM等微观分析手段,发现该材料具有层片状结构,结构松散,平均粒径约17纳米。研究发现,掺杂适量的氧化铝可以大大提高三氧化钨对氯化氢气体的灵敏度,但元件稳定性以及选择性比较差,通过掺杂少量的氧化锌,虽然降低了元件的灵敏度,却可以大大提高元件的稳定性,适当提高加热电压,可抑制元件对NO2等气体的灵敏度,提高选择性。本文对三氧化钨的气敏机理及特性进行分析。
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关 键 词: | 氯化氢 气敏 气体传感器 |
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