| 适用于低电源电压的快速预充Flash灵敏放大器 |
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| 引用本文： | 黄鹏,王源,杜刚,张钢刚,康晋锋. 适用于低电源电压的快速预充Flash灵敏放大器[J]. 北京大学学报(自然科学版), 2014, 50(4): 600-604 |
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| 作者姓名： | 黄鹏 王源 杜刚 张钢刚 康晋锋 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究院, 教育部微电子器件与电路重点实验室, 北京 100871; |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2010CB934203)资助 |
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| 摘 要： | 提出一种新型快速预充Flash灵敏放大器, 能够实现在低电源电压下的快速工作。采用反相器反馈控制的预充电路模块, 使得预充速度得以提升。还提出新型快速预充Flash灵敏放大器的改进型, 进一步使用反相器构成参考电压发生电路, 取消电流源模块, 从而降低功耗。新型电路在速度和功耗上有较大改善, 65 nm CMOS工艺条件下仿真结果表明, 相比传统结构，新结构预充速度提高15%, 功耗降低14%。
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| 关 键 词： | 快闪存储器 灵敏放大器 低压 预充 |
| 收稿时间： | 2013-04-06 |
Fast Pre-charge Sense Amplifier for Low-Voltage Flash Memory |
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| HUANG Peng;WANG Yuan;DU Gang;ZHANG Ganggang;KANG Jinfeng. Fast Pre-charge Sense Amplifier for Low-Voltage Flash Memory[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis, 2014, 50(4): 600-604 |
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| Authors: | HUANG Peng WANG Yuan DU Gang ZHANG Ganggang KANG Jinfeng |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits MOE, Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871; |
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| Abstract: | A new flash sense amplifier (SA) is presented, which has a fast pre-charge speed, low power and low supply voltage. Compared to the conventional low-voltage SA, the novel amplifier uses two inverters to improve pre-charge speed by feedback-control pre-charge circuit and to reduce power consumption by taking place of the current source module in reference voltage generation circuit, respectively. In 65 nm CMOS process, the pre-charge time of novel circuit is improved above 15%, and the power dissipation is lowered about 14%. |
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| Keywords: | flash memory sense amplifier low-voltage pre-charge |
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