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| 五磷酸钕晶体生长区界面的研究 | |
| 引用本文： | 刘希玲.五磷酸钕晶体生长区界面的研究[J].科学通报,1990,35(17):1356-1356. |
| 作者姓名： | 刘希玲 |
| 作者单位： | 山东省教育学院，山东大学晶体研究所 济南 250013，济南 250100 |
| 摘 要： | 在研究五磷酸钕晶体铁弹畴时,我们注意到该晶体的另一种缺陷——生长区界面。所谓生长区界面系指晶体在生长过程中,由晶体自身生长习性决定,受晶体各向异性生长速度所制约的生长面轨迹,该缺陷附近晶格畸变,严重影响器件性能,应用中要避开。我们用X射线形貌术观察和研究了这种缺陷 |
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