| 埋氧层对SOI/玻璃键合的影响及其键合工艺的改进 |
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| 引用本文： | 郑志霞,冯勇建.埋氧层对SOI/玻璃键合的影响及其键合工艺的改进[J].厦门大学学报(自然科学版),2012(6):1011-1015. |
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| 作者姓名： | 郑志霞 冯勇建 |
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| 作者单位： | 莆田学院电子信息工程学系;厦门大学物理与机电工程学院 |
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| 基金项目： | 国家国际合作基金项目(2011DFR11160);福建省高校产学研合作重大项目(3502Z20103012);莆田市自然科学基金区域重大项目(2010G03) |
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| 摘 要： | 运用阳极键合技术,对绝缘体上硅(SOI)/玻璃进行阳极键合实验,发现当埋氧层厚度超过500nm时,键合很难成功.分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电压降及键合静电力的影响,得出由于埋氧层的分压作用,耗尽层的压降减小,键合静电力减弱,导致键合失败.通过设计高压直流和高压脉冲两种输出方式的电源系统,提高氧负离子的迁移速率从而提高键合速度.从平板式阳极引一根探针电极到SOI器件层表面,使键合电压直接加在耗尽层上,避免埋氧层厚度对键合的影响,提高键合静电力.实验表明,通过改进的键合设备能实现不同氧化层厚度的SOI片与玻璃间的键合,该设备还适用于其他异质材料间的阳极键合.
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅 阳极键合 埋氧层 键合电压 脉冲电源 |
The Influence of Buried Oxide Layer on the SOI and Glass Bonding and the Improvement of Bonding Equipment |
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| ZHENG Zhi-xia,FENG Yong-jian.The Influence of Buried Oxide Layer on the SOI and Glass Bonding and the Improvement of Bonding Equipment[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2012(6):1011-1015. |
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| Authors: | ZHENG Zhi-xia FENG Yong-jian |
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| Institution: | 1.Department of Electronic and Information Engineering,Putian University,Putian 351100,China; 2.School of Physics and Mechnical & Electrical Engineering,Xiamen University,Xiamen 361005,China) |
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