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| 高充电致高电压太阳阵持续飞弧放电的实验研究 | |
| 引用本文： | 李凯,谢二庆,王立,刘延霞,杨扬,孙彦诤,崔新宇,买胜利.高充电致高电压太阳阵持续飞弧放电的实验研究[J].中国科学(E辑),2007,37(3):344-350. |
| 作者姓名： | 李凯 谢二庆 王立 刘延霞 杨扬 孙彦诤 崔新宇 买胜利 |
| 作者单位： | 1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;兰州物理研究所,兰州,730000 2. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 3. 兰州物理研究所,兰州,730000 4. 中国电子科技集团公司第十八研究所,天津,300381 |
| 基金项目： | 真空低温技术与物理国家重点实验室基金;国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 空间高压太阳阵表面静电放电（ESD）引起持续飞弧放电而导致航天器大功率电源系统永久性损坏的事件在国外已有多次报道．针对砷化镓和硅高压太阳阵进行ESD地面模拟实验，通过两类高压太阳阵样品充放电对比实验，重点分析高压太阳阵持续飞弧放电形成机理．实验表明持续飞弧放电引起高压太阳阵串间击穿短路，导致太阳阵自身功率持续输出并形成永久性短路回路．持续飞弧放电的发生与高压阵结构、高压阵工作电压、ESD特征以及电池材料等多种因素相关． |
| 关 键 词： | 高压太阳阵 静电放电 持续飞弧放电 机理 |
| 收稿时间： | 2006-05-22 |
| 修稿时间： | 2006-05-222006-10-23 |
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