痕量硫氰根离子的阴极溶出伏安法测定

硫氰根离子的测定方法有SCN-离子选择电极法,极谱法,伏安法等.这些方法的灵敏度都较低.等人研究了银电极上痕量的SCN~-离子的阴极溶出伏安法,检出限为2×10~(-6)M,但形成两个与AgSCN还原相对应的阴极溶出峰.Bilewicz提出了采用Cu-Hg齐电极的阴极溶出伏安法,检出极限可达到2×10~(?)M,是目前文献上所记载的最灵敏的方法,然而该方法不仅电极制备麻烦,而且其线性范围较窄. 本方法采用由纯汞制成的悬汞滴电极进行痕量SCN~-离子的阴极溶出伏安法测定,溶液中加入一定量的Cu~(2 )离子,它还原为金属Cu后就立即与悬汞滴结合,同样可形成Cu-Hg齐,因此,操作更为简便,其线性范围可达1×10~(?)～4×10~(-7)M,检出限量达到1×10~(-9)M.