| PSD光电位置传感器的实现及SOI结构研究 |
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| 引用本文： | 张新,高勇,安涛,王彩琳.PSD光电位置传感器的实现及SOI结构研究[J].西安理工大学学报,2005,21(3):236-240. |
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| 作者姓名： | 张新 高勇 安涛 王彩琳 |
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| 作者单位： | 1. 西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048;华东光电集成器件研究所,安徽,蚌埠,233042
2. 西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048 |
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| 摘 要： | 分析了高灵敏度光电位置传感器(PSD)的设计和工艺制作过程,给出了器件制作工艺流程。对制作的器件进行了参数测试,测试结果为:响应波长为600~1200 nm,峰值响应波长为760 nm,位置分辨能力为5μm,位置探测误差为±50μm,暗电流为1.4×10-10A(VR=-5 V),峰值灵敏度为0.8634A/W。同时为提高器件的响应速度,提出了基于SOI技术的PSD器件结构。
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| 关 键 词： | 光电位置传感器 电极 灵敏度 位置分辨率 工艺 线性度 SOI |
| 文章编号： | 1006-4710(2005)03-0236-05 |
| 收稿时间： | 2005-03-09 |
| 修稿时间： | 2005年3月9日 |
Realization of Opto-Electric Position Sensitive Device (PSD) and Research on SOI Structure |
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| ZHANG Xin,GAO Yong,AN Tao,WANG Cai-lin.Realization of Opto-Electric Position Sensitive Device (PSD) and Research on SOI Structure[J].Journal of Xi'an University of Technology,2005,21(3):236-240. |
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| Authors: | ZHANG Xin GAO Yong AN Tao WANG Cai-lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | opto-electric position sensitive device electrode sensitivity positioning resolution processing linearity SOI |
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