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| 缺陷对Si(100)表面的In量子线的影响 | |
| 引用本文： | 琚伟伟,戴宪起,王广涛.缺陷对Si(100)表面的In量子线的影响[J].河南师范大学学报(自然科学版),2004,32(3):154-154. |
| 作者姓名： | 琚伟伟 戴宪起 王广涛 |
| 作者单位： | 河南师范大学 物理与信息工程学院,河南 新乡 453007;河南师范大学 物理与信息工程学院,河南 新乡 453007;河南师范大学 物理与信息工程学院,河南 新乡 453007 |
| 基金项目： | 河南省自然科学基金项目(974051900) |
| 摘 要： | 半导体表面的研究是当前半导体物理中极为活跃的一个领域，Si(100)面是硅最重要的低指数面之一．它在半导体工业中有着广泛的应用，几乎所有的集成电路都是建造在这一表面上的．因此在Si(100)表面形成纳米或原子级有序结构成为人们关注的焦点之一．在Si(100)表面上，空位是常见的缺陷之一，即表面Si二聚体的空缺． |
| 关 键 词： | 缺陷 量子线 结合能 第一原理 |
| 文章编号： | 1000-2367(2004)03-0154-01 |
| 修稿时间： | 2004年5月10日 |
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