| ZTM／SiCp陶瓷的微波烧结研究 |
| |
| 引用本文： | 戚凭. ZTM／SiCp陶瓷的微波烧结研究[J]. 青岛大学学报(自然科学版), 1999, 12(1): 52-56 |
| |
| 作者姓名： | 戚凭 |
| |
| 作者单位： | 青岛大学物理系 |
| |
| 摘 要： | 用微波烧结成功ＺＴＭ／ＳｉＣｐ三相复合陶瓷，ＳｉＣ含量达到３０ｖｏｌ％．提出“热过冲自我抑制”的思想．利用Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２→Ｍｕｌ反应在微波烧结ＺＴＭ／ＳｉＣｐ陶瓷中实现了“热过冲自我抑制”．提出临界电场强度Ｅ＊可作为判断是否会出现“热过冲”的判据．埋粉是调节微波场强的有效手段．ＳｉＣ在低含量范围内有促进烧结的作用．
|
| 关 键 词： | 微波烧结；ZTM／SiCp陶瓷；热过冲自我抑制；临界电场强度 |
RESEARCH ON MICROWAVE SINTERING ZTM/SiCp CERAMICS |
| |
| Qi Ping. RESEARCH ON MICROWAVE SINTERING ZTM/SiCp CERAMICS[J]. Journal of Qingdao University(Natural Science Edition), 1999, 12(1): 52-56 |
| |
| Authors: | Qi Ping |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | microwave sentering ZTM/SiCp inhibiting self thermal runaway self critical field strength |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
