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双口RAM设计调试
引用本文:关红宾.双口RAM设计调试[J].科技信息,2009(29):I0406-I0407.
作者姓名:关红宾
作者单位:中国电子科技集团公司第二十研究所,陕西西安710072
摘    要:本文介绍双口RAM的设计调试,主要就电平的匹配,握手应答信号等方面进行设计,并针对调试中出现的问题(如器件选型不当、逻辑设计不完善、低温异常)给予分析。

关 键 词:双口  RAM  电平匹配  握手应答信号
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