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| 在不同温度下退火制备多晶硅薄膜的研究 | |
| 引用本文： | 靳瑞敏,郑小燕,陈兰莉,卢景霄.在不同温度下退火制备多晶硅薄膜的研究[J].南阳理工学院学报,2009,1(3):1-3. |
| 作者姓名： | 靳瑞敏 郑小燕 陈兰莉 卢景霄 |
| 作者单位： | 1. 南阳理工学院,河南,南阳,473004;郑州大学材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052 2. 南阳理工学院,河南,南阳,473004 3. 郑州大学材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052 |
| 摘 要： | 通过PECVD法，用玻璃作衬底在30℃、350℃和450℃下直接沉积非晶硅（a—Si：H）薄膜，在600℃和850℃下退火三个小时，把前后样品用拉曼光谱和XRD分析，发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好，850℃下退火的薄膜比600℃下好。 |
| 关 键 词： | PECVD法 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 二次晶化 拉曼光谱 XRD |
INVESTIGATIONS ON FABRICATING POLY-SI THIN FILM AT DIFFERENT TEMPERATURES |
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| JIN Rui-min,ZHENG Xiao-yan,CHEN Lan-li,LU Jing-xiao.INVESTIGATIONS ON FABRICATING POLY-SI THIN FILM AT DIFFERENT TEMPERATURES[J].Journal of Nanyang Institute of Technology,2009,1(3):1-3. | |
| Authors: | JIN Rui-min ZHENG Xiao-yan CHEN Lan-li LU Jing-xiao |
| Institution: | JIN Rui-min1,2,ZHENG Xiao-yan1,CHEN Lan-li1,LU Jing-xiao2(1.Nanyang Institute of Technology,Nanyang 473004,China,2.Key Laboratory of Material Physics of the Ministry of Education of China,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052,China) |
| Abstract: | Undoped amorphous silicon film deposited by PECVD at different substrate temperature 30 ℃ ,350 ℃ ,450 ℃ , and annealed at 600 ℃ and 850 ℃ in a N2 atmosphere was studied by using micro-Raman scattering and XRD. It can be seen that the crystallization is better at 850 ℃ than that at 600 ℃. |
| Keywords: | PECVD a-Si:H film Crystallization Raman scattering XRD |
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