一种用于低压差稳压器的过流保护电路

提出了一种用于低压差稳压器的过流保护电路，该过流保护电路基于SMIC 180 nm CMOS工艺，采用1.8V供电电源，在不影响原有LDO功率管管压降的同时，提高了输出电流的采样精度，限制LDO功率管的最大输出电流及LDO输出电压过低时降低功率管的电流输出。达到过流限后，负载电流与功耗下降比成正相关，负载电流越大，整体功耗下降越多。随着负载电流的增加，至触发电流折返之前，功耗下降比由0%开始逐渐提高至20%～30%；电流开始折返后，功耗下降比由20%～30%开始逐渐提高至99%。在负载电流未达到电流折返的临界点时，LDO瞬态性能不受影响；在负载电流达到电流折返临界点时，输出电压下降约500 m V，但其余瞬态性能不受影响。