高温热退火时异质结薄膜CeO2/Si界面扩散—反应的?… |
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引用本文: | 吴正龙,李强胜.高温热退火时异质结薄膜CeO2/Si界面扩散—反应的?…[J].北京师范大学学报(自然科学版),1999,35(3):332-335. |
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作者姓名: | 吴正龙 李强胜 |
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作者单位: | [1]北京师范大学分析测试中心 [2]北京师范大学物理学系 |
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摘 要: | 基于CeO2/Si异质结在氧气氛下高温退火界面存在扩散反应过程,建立了扩散-反应方程。对有关的实测数据进行了计算机拟合,其结果与实验能很好吻合。不同温度下的拟合结果还表明,异质结界面处O.Ce,Si扩散系数及Si的氧化反应系数的随温度指数上升,并计算出扩散反应激活能。
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关 键 词: | 高温 异质结 薄膜 扩散反应 氧化铈 硅 热退火 |
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