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| 低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究 | |
| 引用本文： | 吴迪,徐永珍,姜毅,刘会刚.低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究[J].南开大学学报,2021,54(2):52-57. |
| 作者姓名： | 吴迪 徐永珍 姜毅 刘会刚 |
| 作者单位： | 南开大学电子信息与光学工程学院,天津300071;台湾清华大学电子工程研究所,台湾新竹30013;台湾清华大学电子工程研究所,台湾新竹30013;南开大学电子信息与光学工程学院,天津300071 |
| 摘 要： | 首次制备了完全CMOS工艺兼容的铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管,并对其电学特性,如I-V,C-V等进行测量与分析,最终实现亚阈值摆幅为27 mV/decade的金氧半场效晶体管.栅极漏电流机制亦被探讨,并推断出Poole-Frenkel效应是产生铝掺杂二氧化铪铁电材料晶体管漏电流的主要原因... |
| 关 键 词： | 铁电 铝掺杂二氧化铪 亚阈值摆幅 金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管 |
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