| 电子掺杂下FeSe二维性的增强 |
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| 引用本文： | 王雪玮,江星宇,张若舟,赵展艺,魏鑫健,陈其宏.电子掺杂下FeSe二维性的增强[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2023(12):214-221. |
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| 作者姓名： | 王雪玮 江星宇 张若舟 赵展艺 魏鑫健 陈其宏 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家研究中心;2. 中国科学院大学物理科学学院 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(编号:2022YFA1403000)；;国家自然科学基金(编号:12374141)；;北京市科技新星计划(编号:20220484014)；;中国博士后科学基金特别资助(站前)项目资助； |
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| 摘 要： | 本文利用离子液体调控对FeSe薄膜进行电子掺杂,研究了超导增强过程中FeSe超导涨落行为的演化.顺电导分析表明,随着温度降低,超导涨落维度从二维过渡到三维;并且,随着电子掺杂,三维涨落的温度区间逐渐减小,这表明FeSe层间耦合强度逐渐减弱,体系二维性增强.FeSe调控后的高Tc态与插层FeSe基材料不仅具有相近的Tc(～40 K),并且都表现出较强的二维性,这暗示着二维性的增强对于FeSe超导的增强起着重要作用.
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| 关 键 词： | FeSe薄膜 超导增强机理 超导涨落维度 顺电导 |
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