| β-Ga2O3 SBD器件的解析模型与仿真研究 |
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| 引用本文： | 张弘鹏,郭亮良,陈铖颖,贾仁需,元磊,彭博,张玉明,栾苏珍,张宏怡,张义门.β-Ga2O3 SBD器件的解析模型与仿真研究[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2023(7):127-135. |
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| 作者姓名： | 张弘鹏 郭亮良 陈铖颖 贾仁需 元磊 彭博 张玉明 栾苏珍 张宏怡 张义门 |
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| 作者单位： | 1. 厦门理工学院光电与通信工程学院;2. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室;3. 西安科技大学通信与信息工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(编号:61874084,62004153,U21A20501)；;厦门市重大科技项目(编号:3502Z20221022)；;福建省中青年教师教育科研项目(编号:JAT220341)； |
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| 摘 要： | 本文设计了不同电场调节策略的Ga2O3 SBD器件,通过研究器件结构、钝化层方案下器件电学特性,分析不同终端结构(场板结构FP、边缘终端结构ET、沟槽型Trench、高K钝化)下Ga2O3 SBD的结构设计.此外本文结合理论分析和实验数据拟合,完善了Ga2O3材料和器件模型,通过对比实验数据验证了模型的正确性.研究发现:(1)高K钝化(κ>100)结合场板结构可有效舒缓表面电场并提升结终端效率, 2μm Ga2O3 SBD采用BaTiO3钝化场板可实现终端效率91.4%, Vbr=1.43 kV,巴利加优值BFOM=1.62 GW/cm2,七倍于Al2O3 FP SBD;(2)采用BaTiO3钝化的FP&ET复合终端可实现终端效率93.6%, Vbr
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| 关 键 词： | 氧化镓 Ga2O3 SBD 器件仿真 功率器件 |
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