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| 核与空间辐射效应模拟试验技术研究 | |
| 作者姓名： | 陈伟 罗尹虹 马武英 王晨辉 丁李利 王祖军 刘岩 梅博 姚崇斌 曾超 郭晓强 王忠明 吴伟 |
| 作者单位： | 1. 强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室;2. 西北核技术研究所;3. 中国空间技术研究院;4. 上海航天电子技术研究所;5. 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(编号:11690040)资助项目； |
| 摘 要： | 在天然与人为辐射环境中,辐射可能在电子器件中引发瞬时电离、单粒子、位移损伤、总剂量等多种辐射效应,导致器件性能退化、功能异常、故障甚至损毁,是制约电子器件及所属系统长期、稳定、可靠工作的关键.核与空间辐射效应模拟试验技术是抗辐射加固的基础,可用于研究辐射效应机理、检验抗辐射加固方法有效性,是提升电子器件和系统抗辐射能力不可或缺的重要手段.本文从瞬时电离辐射效应模拟试验技术、空间单粒子效应模拟试验技术、位移损伤效应模拟试验技术、总剂量效应模拟试验技术四个方面出发,梳理了辐射效应研究和模拟试验装置现状,结合微电子工艺的发展趋势,分析提炼需要重点关注的科学问题与技术问题,为抗辐射加固技术创新发展提供参考. |
| 关 键 词： | 核辐射效应 空间辐射效应 模拟试验技术 辐射模拟装置 |