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| GaN基半导体中载流子的自旋注入、弛豫及调控 | |
| 引用本文： | 张仕雄,唐宁,孙真昊,陈帅宇,沈波.GaN基半导体中载流子的自旋注入、弛豫及调控[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2023(10):150-161. |
| 作者姓名： | 张仕雄 唐宁 孙真昊 陈帅宇 沈波 |
| 作者单位： | 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划(编号:2022YFB3605600,2018YFE0125700)；;国家自然科学基金(编号:62225402,61927806)资助项目； |
| 摘 要： | GaN基半导体材料由于其电场可控的自旋轨道耦合以及高于室温的居里温度,在半导体自旋电子学领域引起了广泛的关注.载流子的自旋注入、弛豫和调控是发展半导体自旋电子器件的关键问题.本文回顾了基于时间分辨克尔光谱和平面自旋阀电学测量对GaN基半导体中载流子的自旋注入、弛豫和调控的研究进展.对GaN基半导体的精细能带结构、自旋轨道耦合、自旋弛豫机制及自旋调控等进行了讨论,总结了GaN基半导体自旋电子器件的研究现状并提出展望. |
| 关 键 词： | GaN基半导体 自旋轨道耦合 自旋弛豫 |