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| 低温生长氮化铝薄膜栅介质电性的研究 | |
| 引用本文： | 刘付德.低温生长氮化铝薄膜栅介质电性的研究[J].西安交通大学学报,1990,24(2):127-130. |
| 作者姓名： | 刘付德 |
| 作者单位： | 西安交通大学电气工程系 |
| 摘 要： | 直流平面磁控溅射低温成膜,靶上发射的二次电子可得到正交电磁场的控制,减少高能粒子对器件表面的轰击,使膜中缺陷减少;有利于减少膜与基片间的界面态;还以较高的速率淀积薄膜,有利于大批量生产.至今对 AlN-Si 接触的界面和介电特性研究报导不多,低温制膜的界面性能研究更少.本文用直流平面磁控溅射法在硅片上淀积AlN 制成 Al/AlN/Si 结构并对其进行电性测试分析. |
| 关 键 词： | 氮化铝薄膜 介质 电性 溅射 薄膜 |
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