| 含有吸附络合物体系的示波分析及机理研究 |
| |
| 引用本文： | 胡娟.含有吸附络合物体系的示波分析及机理研究[J].平顶山学院学报,1997(Z4). |
| |
| 作者姓名： | 胡娟 |
| |
| 作者单位： | 平顶山师专化学系!平顶山，467002 |
| |
| 基金项目： | 河南省教委自然科学基础研究项目基金 |
| |
| 摘 要： | In（Ⅲ）在pH=4．57的0．2mol．L-1HAc－0．4mol·L-1NaAc－0．1％V．C－0．006％HCuP溶液中，用示波计时电位法可获得良好的示波图，其切口电位Eh=0．90（VsSCE），切口高度与In（Ⅲ）浓度在8．0×10－7～1．4×10－5mol·L－1范围内成正比，检测下限可达5．0×10－7mol·L-1，测得吸附络合物组成为In（Ⅲ）：铜铁试剂=1：1，条件稳定常数为5．9×103．方法应用于含铟合金轴承样品中微量铟的测定，标准偏差为0．59，回收率为98.83％，结果令人满意．
|
| 关 键 词： | 示波计时电位法 铟 铜铁试剂 吸附络合物 |
Oscillographic Analysis and Mechanism of Solution Containing Adsorbable Complex |
| |
| Hu Juan.Oscillographic Analysis and Mechanism of Solution Containing Adsorbable Complex[J].Journal of Pingdingshan University,1997(Z4). |
| |
| Authors: | Hu Juan |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | oscillographic chronopotentiometry indium cupferrom adsorbable complex |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
