首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

化学聚合法制备电容器用聚吡咯
作者姓名:程贤甦  林音  林俊鸿  潘德源
作者单位:[1]福州大学材料科学与工程学院 [2]福建国光新型电子元件与材料技术研究院 [3]福州 [4]闽江学院化学化工系
摘    要:采用化学聚合法制备电容器用聚吡咯,研究了不同的氧化剂和掺杂剂对PPY电导率的影响,并利用TGA,DSC,FT-IR等分析手段,对聚吡咯的热老化性质进行研究,结果表明聚吡咯在有氧条件下热老化比无氧时快很多.

关 键 词:吡咯  化学聚合  聚吡咯  导电性
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号