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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
化学聚合法制备电容器用聚吡咯
作者姓名:
程贤甦
林音
林俊鸿
潘德源
作者单位:
[1]福州大学材料科学与工程学院 [2]福建国光新型电子元件与材料技术研究院 [3]福州 [4]闽江学院化学化工系
摘 要:
采用化学聚合法制备电容器用聚吡咯,研究了不同的氧化剂和掺杂剂对PPY电导率的影响,并利用TGA,DSC,FT-IR等分析手段,对聚吡咯的热老化性质进行研究,结果表明聚吡咯在有氧条件下热老化比无氧时快很多.
关 键 词:
吡咯
化学聚合
聚吡咯
导电性
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