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碳纳米管膜的压阻效应
作者姓名:李勇  王万录  廖克俊  胡陈果  黄智  冯庆
作者单位:重庆大学数理学院应用物理系,重庆,400044
摘    要:对碳纳米管(CNT)膜的压阻效应进行了研究. 实验所用的碳纳米管用热灯丝气相沉积法(CVD)合成, 压阻效应用3点弯曲法测量. 研究发现: 在室温下与500微应变时, 碳纳米管膜的压阻因子至少是65, 超过多晶硅(Si)在35℃时的压阻因子30. 并且, 碳纳米管膜的压阻因子随温度的升高而变大. 还讨论了碳纳米管膜出现压阻效应的机制.

关 键 词:压阻效应  碳纳米管  压阻因子  传感器件
收稿时间:2002-05-22
修稿时间:2002-05-22
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