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| 外延型全高T_c边缘结的制备与性能研究 | |
| 作者姓名： | 胡毅飞 |
| 作者单位： | 北京大学物理系，北京大学物理系，北京大学物理系，北京大学物理系 北京 100871，北京 100871，北京 100871，北京 100871 |
| 基金项目： | 国家超导研究及发展中心，国家教委优秀青年教师基金，霍英东基金 |
| 摘 要： | 约瑟夫森效应曾在以不同方法制备的高T_c超导弱连接中被观察到。虽然这些材料的相干长度较短,但其中的天然晶界使约瑟夫森器件的制备变得比较容易。不过,使用这些多晶的块材或薄膜制备的器件一般具有较大的噪声。实验表明,噪声源于多晶薄膜区的磁通蠕动(flux creeping)。因此,近年来随着优质的高T_c外延膜技术的成熟,人们对于在外延膜上 |
| 关 键 词： | 高Tc 超导体 边缘结 磁控溅射 |
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