| 等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究 |
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| 引用本文： | 陈晓南,杨培林,庞宣明,袁丛清.等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究[J].西安交通大学学报,2004,38(5):546-547. |
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| 作者姓名： | 陈晓南 杨培林 庞宣明 袁丛清 |
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| 作者单位： | 西安交通大学机械工程学院,710049,西安 |
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| 基金项目： | 陕西省自然科学研究基金资助项目(2 0 0 2E2 0 7) |
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| 摘 要： | 用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中，工艺参数对刻蚀速率的影响．研究结果表明，刻蚀速率随SF6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大，但当SF6气体流量、自偏压达到一定值后，刻蚀速率开始降低．实验中对工艺参数进行了优化，在射频功率为500W、自偏压为150V、流量为50cm^3／s，以及SiO2和Si3N4的选择比为15的条件下。硅的刻蚀速率达到了0．80μm／min．
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| 关 键 词： | 感应耦合等离子体 干法刻蚀 硅 |
| 文章编号： | 0253-987X(2004)05-0546-02 |
| 修稿时间： | 2003年7月15日 |
Influence of Process Parameters on the Etching Rate in Inductively Coupled Plasma Etcher |
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