循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征

用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察了循环应变作用下（１３５）同轴非对称铜双晶体中的位错结构。结果表明，双晶晶界领域的位错结构特征不同于远离晶界的区域，一是低应变幅下晶界旁有低密度位错区的形成，二是驻留滑移带结构接近晶界时发生畸变。