Ni(110)上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究 |
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引用本文: | 朱俊发,徐法强.Ni(110)上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究[J].自然科学进展,1999,9(9):790-795. |
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作者姓名: | 朱俊发 徐法强 |
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作者单位: | [1]中国科学技术大学化学物理系 [2]中国科学技术大学国家同步辐射实验室 |
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摘 要: | 用同步辐射软X射线光电子能谱和X射线光电子能谱(XPS)研究了室温下氧与原位生长于Ni(110)上的Gd薄膜及Gd-Ni复合薄膜的相互作用。氧在3.7nm的Gd膜上有很高的初始粘附几率。Gd4f双峰中的高结合能峰随氧暴露量的增加逐渐衰减,在吸附了50L的氧并在高温(800K)退米后几乎彻底消失。0~50L的氧暴露量范围内OlsXPS的结合能为529.6eV,来是格氧。Gd/Ni(110)径微氧化再
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关 键 词: | 隔薄膜 氧化 镍表面 同步辐射 光电子能谱 |
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