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| Ni（110）上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究 | |
| 引用本文： | 朱俊发,徐法强.Ni（110）上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究[J].自然科学进展,1999,9(9):790-795. |
| 作者姓名： | 朱俊发 徐法强 |
| 作者单位： | [1]中国科学技术大学化学物理系 [2]中国科学技术大学国家同步辐射实验室 |
| 摘 要： | 用同步辐射软Ｘ射线光电子能谱和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了室温下氧与原位生长于Ｎｉ（１１０）上的Ｇｄ薄膜及Ｇｄ－Ｎｉ复合薄膜的相互作用。氧在３．７ｎｍ的Ｇｄ膜上有很高的初始粘附几率。Ｇｄ４ｆ双峰中的高结合能峰随氧暴露量的增加逐渐衰减，在吸附了５０Ｌ的氧并在高温（８００Ｋ）退米后几乎彻底消失。０～５０Ｌ的氧暴露量范围内ＯｌｓＸＰＳ的结合能为５２９．６ｅＶ，来是格氧。Ｇｄ／Ｎｉ（１１０）径微氧化再 |
| 关 键 词： | 隔薄膜 氧化 镍表面 同步辐射 光电子能谱 |
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