| 工业五氧化二钒制备V2O5半导体薄膜分析 |
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| 引用本文： | 杨绍利 陈厚生 等. 工业五氧化二钒制备V2O5半导体薄膜分析[J]. 重庆大学学报(自然科学版), 2002, 25(5): 97-100 |
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| 作者姓名： | 杨绍利 陈厚生 等 |
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| 作者单位： | [1]重庆大学材料科学与工程学院，重庆400044 [2]攀枝花钢铁研究院，四川攀枝花617000 |
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| 摘 要： | 用攀钢工业V2O5为原料采用无机溶胶－凝胶法制备V2O5溶胶和凝胶，并用此胶体不同衬底上制备出透明的半导体V2O5薄膜。研究了胶体粘度对涂膜的影响，以及薄膜电阻率与温度、烘干处理和厚度的关系。用扫描电子显微镜（SEM）研究了薄膜的微观形貌，用XRD研究了薄膜的成份及其变化。结果表明：胶体粘度对涂膜有较大影响；温度、湿份、薄膜厚度对薄膜电阻率均有较大影响；V2O5薄膜由针状V2O5颗粒组成，在衬度上呈均匀分布，且结构比较密集，其颗粒径向尺寸为0.5-1.0μm，长度方向为3.0-5.0μm。烘干处理后颗粒轮廓略有模糊、结构稀疏且尺寸有所长大，同时新生成了一些钒化合物。
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| 关 键 词： | V2O5 溶胶－凝胶法 薄膜 电阻率 |
| 文章编号： | 1000-582X(2002)05-0097-04 |
Preparation of V2O5 Semiconductor Thin Films From Induststrial V2O5 |
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| YANG Shao li,XU Chu shao,CHEN Hou Sheng,HU Zai yong. Preparation of V2O5 Semiconductor Thin Films From Induststrial V2O5[J]. Journal of Chongqing University(Natural Science Edition), 2002, 25(5): 97-100 |
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| Authors: | YANG Shao li XU Chu shao CHEN Hou Sheng HU Zai yong |
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| Affiliation: | YANG Shao li 1,XU Chu shao 1,CHEN Hou Sheng 2,HU Zai yong 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | V 2O 5 sol-gel method thin film resistivity |
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