屏蔽体内部电磁场分布特性分析 |
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作者姓名: | 程二威 张宇飞 胡小锋 谢文强 |
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作者单位: | 军械工程学院静电与电磁防护研究所;军械工程学院科研部;军械工程学院基础部 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(51107147,61001050) |
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摘 要: | 通过孔洞、缝隙耦合进入屏蔽体内部的电磁波经过与腔室内表面的多次反射、折射,形成了复杂的电磁环境,在电磁波叠加作用下可能会形成一些电场强度或磁场强度较强的关键点,进而对该位置处的电子元器件造成电磁损伤。通过建立开缝屏蔽壳体的电磁模型,计算在不同入射方向和极化方式条件下耦合进入屏蔽体内部的电磁场,分析关键点的分布规律,进而提出敏感电子元器件的位置摆放原则,通过避开谐振位置的方式减少元器件的电磁能量耦合,增强屏蔽体的电磁防护能力。
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关 键 词: | 电磁屏蔽体 电磁防护 建模仿真 电磁兼容 |
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